质量检测与计量

质量检测与计量

图关半导体的每件组件出厂时均附有有据可查、可追溯的质量记录。我们的内部计量实验室涵盖尺寸检测、表面表征、纯度验证和功能测试——对大多数常规质量要求无需依赖第三方检测机构。

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尺寸检测

三坐标测量仪（CMM）

检测能力	规格
体积精度	±0.001 mm（MPEE）
重复精度	±0.0005 mm
测量范围	600 × 700 × 500 mm
触测探头	1 mm红宝石球
扫描模式	支持（表面形貌）
报告格式	PDF + DXF比对叠加图

CMM检测对所有公差≤±0.05 mm的精密组件执行。标准提供全尺寸报告，每个测量特征均追溯至客户图纸。

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光学与激光测量

适用于CMM接触可能导致破损的大型、薄型或精密零件：

仪器	检测参数	分辨率
激光测微仪	外径、壁厚	0.001 mm
光学投影仪（30×）	轮廓、角度、圆弧	0.01 mm
数字高度规	台阶高度、平行度	0.001 mm

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表面计量

白光干涉仪

参数	规格
垂直分辨率	0.1 nm
横向分辨率	0.4 μm
测量面积	每视场最大 10 × 10 mm
拼接功能	支持，最大 200 × 200 mm
输出	Ra、Rq、平面度图、三维表面形貌

用途：光学表面验证（λ/4、λ/10平面度）、CMP抛光表面、焊缝平面度。

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接触式轮廓仪

参数	规格
垂直分辨率	0.01 nm
测针力	0.02–1 mN（可选）
扫描长度	最大 100 mm
输出	Ra、Rq、Rz、Rmax、Rsm；完整粗糙度曲线

用途：磨削和研磨表面的生产Ra验证；符合图纸Ra标注要求。

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原子力显微镜（AFM）

参数	规格
垂直分辨率	0.01 nm RMS
扫描面积	标准 100 × 100 μm
模式	轻敲模式（非破坏性）
输出	RMS粗糙度、三维纳米级形貌图

用途：光学抛光验证（Ra < 0.5 nm）、亚表面损伤研究、键合表面资质认证。

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泄漏检测

氦气质谱仪泄漏检测仪

参数	规格
灵敏度	1×10⁻¹⁰ mbar·L/s（MLD）
标准合格判据	< 1×10⁻⁹ mbar·L/s
高完整性合格判据	< 1×10⁻¹⁰ mbar·L/s（按需）
检测方法	氦气罩法或真空室法
适用组件	熔接容器、封闭腔体、真空级组件

所有用于真空或气体处理应用的熔接石英组件均进行100%泄漏检测。

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材料纯度验证

ICP-OES（电感耦合等离子体光学发射光谱）

参数	规格
分析元素	Na、K、Li、Ca、Mg、Fe、Cr、Ni、Cu、Al、B及20余种痕量金属
检测限	< 1 ppb（取决于元素）
样品制备	酸溶法或表面浸取法
周转时间	1–2个工作日

合成熔融二氧化硅2级组件标准提供含完整ICP-OES数据的纯度证书，其他材料可按需提供。

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晶体与光学表征

X射线衍射（XRD）——晶体取向

参数	规格
晶体取向精度	±0.1°（标准）/ ±0.5°（批量生产）
适用材料	蓝宝石、单晶材料
检测方法	劳厄背反射法或摇摆曲线法
报告	取向图 + 与名义值的偏差

XRD取向验证是所有具有指定晶体取向蓝宝石组件的标准检测项目。

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偏光镜——双折射测量

参数	规格
灵敏度	1 nm/cm 相位延迟
测量范围	0–500 nm/cm
适用材料	透明石英和熔融二氧化硅
标准判据	< 10 nm/cm（光学级 < 5 nm/cm）

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紫外-可见-近红外透射率测量

使用校准分光光度计进行190 nm至2500 nm光学透射率验证。可按需为光学级窗口、观察窗和激光光学元件提供。

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质量管理体系

图关半导体依照ISO 9001质量管理体系运营：

要素	详细说明
质量管理标准	ISO 9001:2015
校准	所有仪器均可追溯至NIST/NIM国家标准的校准
不合格品	文件化NCR体系；根本原因分析 + 纠正措施
首件检验	新零件号全套FAI报告（可选PPAP格式）
批次追溯	炉号 + 材质证书 + 检测记录与每批货物关联

每批订单随货标准文件：

• 材质证书（纯度数据）
• 尺寸检测报告（CMM打印件）
• 表面粗糙度报告（Ra测量值）
• 合格证书（ISO 9001）

可选文件（下单时申请）：

• 双折射检测报告
• 氦气泄漏检测证书
• XRD晶体取向报告
• ICP-OES痕量金属分析
• 光学透射率检测报告