Capacidades
Rectificado de precisión y pulido óptico
Lapeado multietapa y pulido óptico para lograr Ra < 0.1 nm en cuarzo fundido, zafiro y cerámicas de precisión para aplicaciones de semiconductores y óptica.
Rectificado, lapeado y pulido óptico de precisión
En componentes de proceso semiconductor y elementos ópticos, el acabado superficial no es solo cosmético: afecta directamente el nivel de contaminación, la transmisión óptica y la confiabilidad de unión. Tuguan Semiconductor opera una línea multietapa desde rectificado grueso hasta pulido óptico a nivel de Ångström.
Etapas de proceso
1. Rectificado grueso
Las muelas copa diamantadas remueven material rápidamente manteniendo planitud de 5–10 μm. Esta etapa define la geometría principal y elimina daño de corte.
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tasa de remoción | 0.1–0.5 mm/pass |
| Rugosidad posterior | Ra 0.8–1.6 μm |
| Planitud posterior | 5–10 μm |
| Especificación de muela | Diamante con liga de resina D46–D107 |
2. Rectificado fino
Las muelas diamantadas de grano fino (D15–D25) reducen el daño subsuperficial y acercan la superficie a calidad de lapeado.
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Rugosidad posterior | Ra 0.2–0.4 μm |
| Planitud posterior | 2–5 μm |
| Daño subsuperficial | < 2 μm |
3. Lapeado
El lapeado doble cara con slurry de alúmina o diamante logra la planitud y el paralelismo requeridos para portadores de obleas, ventanas y sustratos.
| Especificación | Una cara | Doble cara |
|---|---|---|
| Planitud | < 2 μm | < 1 μm |
| Paralelismo (TTV) | < 3 μm | < 2 μm |
| Rugosidad | Ra 0.05–0.1 μm | Ra 0.05–0.1 μm |
| Tamaño máximo de placa | 500 × 500 mm | Ø 400 mm |
4. CMP / pulido óptico
El pulido final usa óxido de cerio (CeO₂) o sílice coloidal sobre pads de pitch o poliuretano para lograr la rugosidad requerida en recubrimientos antirreflejo, interfaces de unión y superficies ópticas.
| Especificación | Pulido de precisión | Pulido óptico |
|---|---|---|
| Rugosidad | Ra 0.01–0.05 μm | Ra < 0.1 nm |
| Forma superficial | λ/4 | λ/10 |
| Scratch-dig | — | 60-40 a 20-10 |
| Apertura útil máxima | 500 mm | 300 mm |
Consideraciones por material
| Material | Abrasivo de lapeado | Slurry de pulido | Notas |
|---|---|---|---|
| Cuarzo fundido | Al₂O₃, luego diamante | CeO₂ o SiO₂ coloidal | Ra < 0.5 nm de forma rutinaria |
| Sílice fundida sintética | Diamante | SiO₂ coloidal | El contenido OH afecta la velocidad |
| Zafiro | Diamante obligatorio | Diamante + Al₂O₃ | Muy duro, baja tasa de remoción |
| Alúmina 99.5% | Diamante | Micropolvo de diamante | La porosidad limita la rugosidad alcanzable |
Sala limpia e inspección
Los procesos utilizan agua DI ultrapura de más de 18 MΩ·cm, pads dedicados por material y recirculación de slurry filtrada a 0.2 μm. La verificación se realiza con interferómetro de luz blanca, perfilómetro de contacto, AFM, microscopio Nomarski DIC y CMM.