熔融石英聚焦與等離子環用於蝕刻與CVD

熔融石英聚焦與等離子環用於蝕刻與CVD

客製化熔融石英聚焦環(也稱為邊緣環、限制環、等離子環或陰影環)為等離子蝕刻、CVD 和其他真空工藝而設計。由高純度的熔融二氧化矽製成,按圖精密加工,這些環提供卓越的等離子耐受性、熱穩定性,以及嚴謹的尺寸控制,有助於維持工藝的一致性,並降低重要腔室內的污染。


報價所需資訊

  • 圖面(PDF/STEP)或主要尺寸:外徑、內徑、厚度、階梯高度/寬度。
  • 晶圓尺寸與取向(例如,200/300 mm;缺口位置),環與晶圓之間的目標間隙。
  • 特徵:階梯/邊緣、凹槽、夾具或陰影幾何、通風孔、螺栓孔、沉頭孔、對位凹槽
  • 邊緣細節與表面精加工(倒角/斜切;粗磨面或拋光面)
  • 作業條件:等離子體化學、功率、溫度、預期壽命/侵蝕容限
  • 關鍵公差:平坦度、平行度、同心度、圓跳動
  • 數量(原型或批次)、所需檢驗報告、包裝等級

主要規格

  • 材料: 高純度熔融石英(SiO₂);材料證明書可按需求提供
  • 幾何: 平面環、階梯/凸緣環、多件段、束縛/陰影環—依繪圖完全客製。
  • 尺寸: 按圖製作(訂製);為熱穩定性而確保截面厚度均勻
  • 功能特徵 陰影唇、夾持面、晶圓安置步驟、用於壓力平衡的流量孔/通風孔
  • 邊緣與表面 火焰拋光的邊緣;研磨或拋光的功能面;為降低顆粒產生而具光滑的半徑
  • 對位與裝配: 缺口/鍵、沉頭孔、基準參考、雷射元件ID/流向需按要求提供
  • 潔淨度: 超音波/DI 清洗; Class-100 相容包裝

材料特性(典型值)

  • 低熱膨脹與高熱衝擊耐性
  • 對大多數工藝氣體具有優異的化學惰性;注意HF會侵蝕熔融石英
  • 電氣絕緣性、低逸出氣體;光學上清潔的表面

處理與設計說明

  • 保持環-晶圓間隙與階梯高度的一致性,以確保等離子體分佈均勻。
  • 在過渡處添加充足的內部半徑以降低應力和粒子陷阱
  • 帶通風與倒角的穿透孔,暴露於真空以防止虛漏
  • 根據工藝清潔度與夾具/遮蔽要求選擇表面處理
  • 我們可以根據尺寸/幾何基礎,提供可實現的平整度、平行度、同心度與跳動公差建議

檢查與測試

  • 尺寸驗證(CMM/光學): 外徑/內徑/厚度、階梯高度/寬度、間隙特徵
  • 相對於基準面的平整度/平行度與跳動檢查
  • 肉眼檢查:100% 檢查裂片、微裂紋、內含物及污染。
  • 可選:雙折射/應力評估;表面加工度驗證;潔淨度報告

應用

ICP/RIE/DRIE等離子蝕刻、PECVD/CVD,作為邊緣環、聚焦環和陰影環。適用於150–300 mm晶圓平台與自訂基板的拘束元件。

包裝與儲存

防靜電、真空密封包裝,提供堅固的保護;使用環形分隔件以防止邊緣接觸。請保持乾燥(<40% RH),在10–30 °C下存放;避免含 HF 的化學品。

備註
可依需求提供客製化配置(孔型、鍍膜或額外標記)。
隨大宗訂單提供合規證書(RoHS、ISO 9001)

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