半導體加工用陶瓷容器

  • Precision machined ceramic cylinder with multiple large holes and notched edges.
  • Top-down view of a ceramic cylinder showing internal features and notched rim.
  • Simple, smooth-walled ceramic crucible or cup.
  • Small, spherical ceramic vessel with a wide opening.
  • Short ceramic cylinder with two large circular cutouts.
  • Ceramic cylinder with a stepped outer profile and smooth inner wall.

    • 半導體加工用陶瓷容器

    精密客製化的陶瓷容器，包括坩堝與圓柱，採用高純度的氧化鋁（Al2O3）、氧化鋯（ZrO2）或氮化矽（Si3N4）製成。設計用於半導體、真空及等離子體蝕刻等高要求工況，這些高性能元件在高溫環境中提供卓越的熱性、電性與機械性能。

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    定制尺寸

    • 依據圖樣（自訂尺寸與幾何形狀）

    材料特性

    • 基材： Al₂O₃ (氧化鋁陶瓷) / 可選：ZrO₂, Si₃N₄
    • 密度 ≥3.90 g/cm³
    • 彎曲強度： ≥350 MPa
    • 熱傳導率: 24-30 W/(m·K)
    • 介電強度: ≥15 kV/mm

    公差與表面品質

    • 同心度: ≤0.05 mm（外徑與內徑）
    • 平行性 ≤0.03 mm (上表面/下表面)
    • 表面粗糙度: Ra ≤0.4 μm

    關鍵性能測試

    • 尺寸檢查: 根據 ISO 286-2
    • 洩漏率測試 ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (氦氣質量分析)
    • 熱衝擊耐性: ΔT ≥300°C (5 次循環，無裂縫)

    應用

    • 半導體加工： 真空腔室，等離子蝕刻元件
    • 高溫環境： ≤1600°C (材料依賴性)

    包裝與搬運

    • 潔淨室包裝 100級以上
    • 防靜電 ESD安全容器

    符合性聲明
    符合 SEMI F47-0706（半導體設備用陶瓷元件）

    免責聲明
    可依需求提供客製化。以「□」標記的關鍵參數需經過明確確認。

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