半導體用陶瓷元件

Basic Dimensions

• 依據圖樣（自訂尺寸與幾何形狀）

材料特性

• 基材： Al₂O₃ (氧化鋁陶瓷) / 可選：ZrO₂, Si₃N₄
• 密度 ≥3.90 g/cm³
• 彎曲強度： ≥350 MPa
• 熱傳導率: 24-30 W/(m·K)
• 介電強度: ≥15 kV/mm

公差與表面品質

• 同心度: ≤0.05 mm（外徑與內徑）
• 平行性 ≤0.03 mm (上表面/下表面)
• 表面粗糙度: Ra ≤0.4 μm

關鍵性能測試

• 尺寸檢查: 根據 ISO 286-2
• 洩漏率測試 ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (氦氣質量分析)
• 熱衝擊耐性: ΔT ≥300°C (5 次循環，無裂縫)

應用

• 半導體加工： 真空腔室，等離子蝕刻元件
• 高溫環境： ≤1600°C (材料依賴性)

包裝與搬運

• 潔淨室包裝 100級以上
• 防靜電 ESD安全容器

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