半導體 CVD 用的熔融石英爐管

半導體 CVD 用的熔融石英爐管

我們的高純度熔融石英爐管為嚴格的半導體晶圓加工、高溫退火、CVD與擴散爐而量身打造。這些堅固的管材可承受最高1200°C（峰值1450°C），耐酸與腐蝕性氣體，並在真空或低壓環境中提供低熱膨脹以確保尺寸穩定；亦提供客製化修改。

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材料規格

• 主要材料： 熔融石英 (SiO₂ ≥ 99.9%)
• 密度 2.2 g/cm³
• 熱穩定性 可在連續使用下承受1200°C的熱衝擊

尺寸

• 外徑: 415 mm / ±1.5 mm
• 內徑: 405 mm / ±1.0 mm
• 壁厚： 5 mm / ±0.5 mm
• 長度： 2300 mm / ±5 mm

技術參數

• 最大工作溫度： 1200°C（短時間峰值：1450°C）
• 耐壓性: 耐受 1 atm（真空或低壓環境）
• 熱膨脹係數: 0.55 × 10⁻⁶ /°C (20–1000°C)
• 表面加工: 光滑、非多孔、酸洗過的

主要特徵

• 適用於污染敏感工藝的超高純度
• 對酸、鹵素及大多數腐蝕性氣體具有出色的化學穩定性
• 低熱膨脹可確保尺寸穩定性

應用

• 半導體晶圓加工
• 高溫退火、CVD 或擴散爐
• 實驗室研究與光學產業

包裝與搬運

• 包裝: 泡棉襯木箱
• 儲存: 保持乾燥，避免直射日光，水平放置

備註

• 避免機械衝擊或快速的溫度變化 (>200°C/min)
• 可按需提供的客製化修改（例如法蘭、鍍層）。

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