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Componentes cerâmicos para semicondutores
Componentes cerâmicos de precisão sob medida, usinados a partir de alta pureza de Alumina (Al2O3), Zirconia (ZrO2) e Silicon Nitride (Si3N4), são projetados para aplicações exigentes em semicondutores, altas temperaturas e vácuo. Oferecendo desempenho superior em termos de térmica, elétrica e mecânica, nossas peças sob medida são ideais para ambientes críticos como gravação por plasma e câmaras de vácuo.
Basic Dimensions
- De acordo com o desenho (tamanhos e geometrias personalizadas)
Propriedades do material
- Material de base: Al₂O₃ (cerâmica de alumínio) / Opcional: ZrO₂, Si₃N₄
- Densidade ≥3.90 g/cm³
- Resistência à flexão: ≥350 MPa
- Condutividade térmica: 24-30 W/(m·K)
- Tensão dielétrica: ≥15 kV/mm
Tolerância e qualidade da superfície
- Concentricidade: ≤0.05 mm (DE e DI)
- Paralelismo ≤0.03 mm (superfícies superiores e inferiores)
- Rugosidade da superfície: Ra ≤0.4 μm
Testes de desempenho-chave
- Inspeção dimensional: De acordo com a ISO 286-2
- Teste da taxa de fuga ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Espectrometria de massas de hélio)
- Resistência ao choque térmico: ΔT ≥300°C (5 ciclos, sem fissuras)
Aplicações
- Processamento de semicondutores: Câmaras de vácuo, componentes de gravação por plasma
- Ambientes de alta temperatura: ≤1600°C (Dependente do material)
Embalagem e manuseio
- Embalagem para sala limpa Classe 100 ou superior
- Antiestático contenedores à prova de ESD
Declaração de conformidade
Conforme SEMI F47-0706 (Componentes cerâmicos para equipamentos de semicondutores)
Aviso de isenção de responsabilidade
Personalização disponível mediante solicitação. Os parâmetros críticos marcados com “□” requerem confirmação explícita.