Anéis cerâmicos para o processamento de semicondutores

Anéis cerâmicos para o processamento de semicondutores

Anéis cerâmicos personalizados usinados com precisão, feitos de alumina de alta pureza (Al2O3), zircônia (ZrO2) ou nitreto de silício (Si3N4), são projetados para processos exigentes de semicondutores, vácuo e gravação por plasma. Esses componentes de alto desempenho oferecem propriedades térmicas, elétricas e mecânicas superiores, garantindo confiabilidade em ambientes críticos de alta temperatura.

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Dimensões sob encomenda

• De acordo com o desenho (tamanhos e geometrias personalizadas)

Propriedades do material

• Material de base: Al₂O₃ (cerâmica de alumínio) / Opcional: ZrO₂, Si₃N₄
• Densidade ≥3.90 g/cm³
• Resistência à flexão: ≥350 MPa
• Condutividade térmica: 24-30 W/(m·K)
• Tensão dielétrica: ≥15 kV/mm

Tolerância e qualidade da superfície

• Concentricidade: ≤0.05 mm (DE e DI)
• Paralelismo ≤0.03 mm (superfícies superiores e inferiores)
• Rugosidade da superfície: Ra ≤0.4 μm

Testes de desempenho-chave

• Inspeção dimensional: De acordo com a ISO 286-2
• Teste da taxa de fuga ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Espectrometria de massas de hélio)
• Resistência ao choque térmico: ΔT ≥300°C (5 ciclos, sem fissuras)

Aplicações

• Processamento de semicondutores: Câmaras de vácuo, componentes de gravação por plasma
• Ambientes de alta temperatura: ≤1600°C (Dependente do material)

Embalagem e manuseio

• Embalagem para sala limpa Classe 100 ou superior
• Antiestático contenedores à prova de ESD

Consulta rápida

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