Placas cerâmicas para a gravação de semicondutores

Placas cerâmicas para a gravação de semicondutores

Nossas placas cerâmicas usinadas com precisão, disponíveis em alumina (Al2O3), zircônia (ZrO2) e nitreto de silício (Si3N4), foram desenvolvidas sob medida para processos exigentes de semicondutores, vácuo e gravagem a plasma. Estas peças de alto desempenho oferecem propriedades térmicas, elétricas e mecânicas excepcionais, assegurando confiabilidade em ambientes de alta temperatura.

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Dimensões sob encomenda

• De acordo com o desenho (tamanhos e geometrias personalizadas)

Propriedades do material

• Material de base: Al₂O₃ (cerâmica de alumínio) / Opcional: ZrO₂, Si₃N₄
• Densidade ≥3.90 g/cm³
• Resistência à flexão: ≥350 MPa
• Condutividade térmica: 24-30 W/(m·K)
• Tensão dielétrica: ≥15 kV/mm

Tolerância e qualidade da superfície

• Concentricidade: ≤0.05 mm (DE e DI)
• Paralelismo ≤0.03 mm (superfícies superiores e inferiores)
• Rugosidade da superfície: Ra ≤0.4 μm

Testes de desempenho-chave

• Inspeção dimensional: De acordo com a ISO 286-2
• Teste da taxa de fuga ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Espectrometria de massas de hélio)
• Resistência ao choque térmico: ΔT ≥300°C (5 ciclos, sem fissuras)

Aplicações

• Processamento de semicondutores: Câmaras de vácuo, componentes de gravação por plasma
• Ambientes de alta temperatura: ≤1600°C (Dependente do material)

Embalagem e manuseio

• Embalagem para sala limpa Classe 100 ou superior
• Antiestático contenedores à prova de ESD

Consulta rápida

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