반도체 CVD용 용융석영 튜브

반도체 CVD용 용융석영 튜브

당사 고순도 용융석영 로튜브는 까다로운 반도체 웨이퍼 가공, 고온 어닐링, CVD 및 확산로를 위해 맞춤 설계되었습니다. 이 견고한 튜브들은 1200°C(피크 1450°C)까지 견디며 산과 부식성 가스에 저항하고 진공 또는 저압 환경에서 치수 안정성을 위한 낮은 열팽창을 제공합니다; 맞춤형 개조가 가능합니다.

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재료 규격

• 주재료: 용융석영 (SiO₂ ≥ 99.9%)
• 밀도 2.2 g/cm³
• 열 안정성 연속 사용 시 1200°C까지 열충격에 견딥니다

치수

• 외경: 415 mm / ±1.5 mm
• 내경: 405 mm / ±1.0 mm
• 벽 두께: 5 mm / ±0.5 mm
• 길이: 2300 mm / ±5 mm

기술 매개변수

• 최대 작동 온도: 1200°C (단시간 피크: 1450°C)
• 압력 저항성: 1 atm에 견딥니다 (진공 또는 저압 환경)
• 열팽창계수: 0.55 × 10⁻⁶ /°C (20–1000°C)
• 표면 마감: 매끄럽고, 비다공성인 산세척된

주요 특징

• 오염에 민감한 공정용 초고순도
• 산, 할로겐 및 대부분의 부식성 가스에 대한 탁월한 화학적 내성
• 저열팽창은 치수 안정성을 보장합니다

용도

• 반도체 웨이퍼 가공
• 고온 어닐링, CVD 또는 확산로
• 실험실 연구와 광학 산업

포장 및 취급

• 포장: 폼 패딩이 적용된 나무 상자
• 보관: 건조하게 보관하고, 직사광선을 피하고, 수평으로 보관하세요

비고

• 기계적 충격이나 급격한 온도 변화는 피하십시오 (>200°C/min)
• 맞춤형 수정(예: 플랜지, 코팅)은 요청 시 이용 가능합니다.

빠른 문의

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