半導体CVD用の溶融石英炉用チューブ

半導体CVD用の溶融石英炉用チューブ

高純度の溶融石英ファーネスチューブは、要求の厳しい半導体ウェーハ加工、高温アニール、CVD、拡散用炉に対応するよう特注設計されています。これらの堅牢なチューブは最大1200°C(ピーク1450°C)まで耐え、酸および腐蝕性ガスに対して耐性があり、真空または低圧環境での寸法安定性のために低熱膨張を提供します;カスタム改造は可能です。


材料仕様

  • 主要材料: 溶融石英 (SiO₂ ≥ 99.9%)
  • 密度 2.2 g/cm³
  • 熱安定性 連続使用で1200°Cまでの熱ショックに耐える

寸法

  • 外径: 415 mm / ±1.5 mm
  • 内径: 405 mm / ±1.0 mm
  • 壁厚: 5 mm / ±0.5 mm
  • 長さ: 2300 mm / ±5 mm

技術的パラメータ

  • 最大動作温度: 1200°C(短時間ピーク:1450°C)
  • 耐圧性: 1 atm に耐える(真空環境 または低圧環境)
  • 熱膨張係数: 0.55 × 10⁻⁶ /°C (20–1000°C)
  • 表面仕上げ: 滑らかで、非多孔性、酸洗い済み

主な特徴

  • 汚染に敏感なプロセス向けの超高純度
  • 酸に対する卓越した化学的耐性、ハロゲンおよびほとんどの腐食性ガスに対して
  • 低熱膨張は寸法安定性を確保します

用途

  • 半導体ウェーハの加工
  • 高温アニール、CVDまたは拡散炉
  • 研究所の研究と光学産業

包装と取扱い

  • 梱包: フォームパッド付き木箱
  • 保管: 乾燥させ、直射日光を避け、水平に保管する

備考

  • 機械的な衝撃や急激な温度変化を避けてください (>200°C/min)
  • カスタム改造(例:フランジ、コーティング)はご要望に応じてご用意します。

詳しい技術サポートや大量注文については、弊社のエンジニアリングチームにご相談ください。

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