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Composants céramiques pour semi-conducteurs
Des composants céramiques de précision, usinés à partir d’Alumine de haute pureté (Al2O3), Zirconia (ZrO2) et Silicon Nitride (Si3N4), sont conçus pour des applications exigeantes dans les domaines des semi-conducteurs, des hautes températures et du vide. Offrant des performances thermiques, électriques et mécaniques supérieures, nos pièces sur mesure conviennent idéalement à des environnements critiques comme le gravage au plasma et les chambres à vide.
Basic Dimensions
- Selon le dessin (tailles et géométries personnalisées)
Propriétés des matériaux
- Matériau de base: Al₂O₃ (céramique d'alumine) / Optionnel: ZrO₂, Si₃N₄
- Densité ≥3.90 g/cm³
- Résistance à la flexion: ≥350 MPa
- Conductivité thermique: 24-30 W/(m·K)
- Résistance diélectrique: ≥15 kV/mm
Tolérance et qualité de la surface
- Concentricité: ≤0.05 mm (DE et DI)
- Parallelism: ≤0.03 mm (faces supérieure et inférieure)
- Rugosité de la surface: Ra ≤0.4 μm
Tests de performance clés
- Inspection dimensionnelle: Selon ISO 286-2
- Test du taux de fuite ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Spectrométrie de masse d'hélium)
- Résistance au choc thermique: ΔT ≥300°C (5 cycles, pas de fissures)
Applications
- Traitement des semi-conducteurs: Cavités à vide, composants de gravure au plasma
- Environnements à haute température: ≤1600°C (Dépendant du matériau)
Emballage et manutention
- Emballage en salle blanche Classe 100 ou supérieure
- Antistatique Conteneurs anti-ESD
Déclaration de conformité
Conforme à SEMI F47-0706 (Composants céramiques pour équipements semi-conducteurs)
Clause de non-responsabilité
La personnalisation est disponible sur demande. Les paramètres critiques marqués par “□” nécessitent une confirmation explicite.