Anneaux céramiques pour le traitement des semi-conducteurs

  • Custom-formed ceramic ring with a flared or conical inner profile.
  • Nested set of precision-ground ceramic rings with varying diameters.
  • Two small custom ceramic rings, possibly for sealing or insulation.
  • Large precision ceramic ring with small mounting holes for industrial equipment.
  • Thick, oval-shaped ceramic ring with flat machined surfaces.
  • Large ceramic ring with segmented design and numeric markings.
  • Precision machined ceramic ring with stepped profile and mounting features.
  • Ceramic ring with a deeply grooved or double-flanged profile.
  • Solid ceramic disc or wheel with a central raised hub and groove.
  • Large precision ceramic ring with small mounting holes for industrial equipment.

    • Anneaux céramiques pour le traitement des semi-conducteurs

    Nos anneaux ceramiques personnalisés, usinés avec précision et fabriqués en alumine de haute pureté (Al2O3), zircone (ZrO2) ou nitrure de silicium (Si3N4), sont conçus pour des procédés exigeants en matière de semi-conducteurs, de vide et de gravure par plasma. Ces composants haute performance offrent des propriétés thermiques, électriques et mécaniques supérieures, garantissant la fiabilité dans des environnements critiques à haute température.

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    Dimensions sur mesure

    • Selon le dessin (tailles et géométries personnalisées)

    Propriétés des matériaux

    • Matériau de base: Al₂O₃ (céramique d'alumine) / Optionnel: ZrO₂, Si₃N₄
    • Densité ≥3.90 g/cm³
    • Résistance à la flexion: ≥350 MPa
    • Conductivité thermique: 24-30 W/(m·K)
    • Résistance diélectrique: ≥15 kV/mm

    Tolérance et qualité de la surface

    • Concentricité: ≤0.05 mm (DE et DI)
    • Parallelism: ≤0.03 mm (faces supérieure et inférieure)
    • Rugosité de la surface: Ra ≤0.4 μm

    Tests de performance clés

    • Inspection dimensionnelle: Selon ISO 286-2
    • Test du taux de fuite ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Spectrométrie de masse d'hélium)
    • Résistance au choc thermique: ΔT ≥300°C (5 cycles, pas de fissures)

    Applications

    • Traitement des semi-conducteurs: Cavités à vide, composants de gravure au plasma
    • Environnements à haute température: ≤1600°C (Dépendant du matériau)

    Emballage et manutention

    • Emballage en salle blanche Classe 100 ou supérieure
    • Antistatique Conteneurs anti-ESD

    Déclaration de conformité
    Conforme à SEMI F47-0706 (Composants céramiques pour équipements semi-conducteurs)

    Clause de non-responsabilité
    CustomizDéclaration de conformité
    Conforme à SEMI F47-0706 (Composants céramiques pour équipements semi-conducteurs)

    Clause de non-responsabilité
    La personnalisation est disponible sur demande. Les paramètres critiques marqués par “□” nécessitent une confirmation explicite.

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