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Plaques de couverture céramiques pour le gravage au plasma des semi-conducteurs
Plaques de couverture céramiques de précision, fabriquées à partir d’alumine de haute pureté (Al2O3), de zircone (ZrO2) ou de nitrure de silicium (Si3N4), sont conçues pour des procédés critiques de traitement des semi-conducteurs, le vide et le gravage au plasma. Ces plaques sur mesure offrent des propriétés thermiques, électriques et mécaniques supérieures et répondent à des normes industrielles strictes pour des applications à haute température exigeantes.
Dimensions sur mesure
- Selon le dessin (tailles et géométries personnalisées)
Propriétés des matériaux
- Matériau de base: Al₂O₃ (céramique d'alumine) / Optionnel: ZrO₂, Si₃N₄
- Densité ≥3.90 g/cm³
- Résistance à la flexion: ≥350 MPa
- Conductivité thermique: 24-30 W/(m·K)
- Résistance diélectrique: ≥15 kV/mm
Tolérance et qualité de la surface
- Concentricité: ≤0.05 mm (DE et DI)
- Parallelism: ≤0.03 mm (faces supérieure et inférieure)
- Rugosité de la surface: Ra ≤0.4 μm
Tests de performance clés
- Inspection dimensionnelle: Selon ISO 286-2
- Test du taux de fuite ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Spectrométrie de masse d'hélium)
- Résistance au choc thermique: ΔT ≥300°C (5 cycles, pas de fissures)
Applications
- Traitement des semi-conducteurs: Cavités à vide, composants de gravure au plasma
- Environnements à haute température: ≤1600°C (Dépendant du matériau)
Emballage et manutention
- Emballage en salle blanche Classe 100 ou supérieure
- Antistatique Conteneurs anti-ESD
Déclaration de conformité
Conforme à SEMI F47-0706 (Composants céramiques pour équipements semi-conducteurs)
Clause de non-responsabilité
La personnalisation est disponible sur demande. Les paramètres critiques marqués par “□” nécessitent une confirmation explicite.
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