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Placas de cobertura cerámicas para grabado por plasma en semiconductores
Placas cerámicas de cobertura de precisión, fabricadas a partir de alúmina de alta pureza (Al2O3), zirconia (ZrO2) o nitruro de silicio (Si3N4), están diseñadas para procesos críticos de semiconductores, vacío y grabado por plasma. Estas placas a medida ofrecen propiedades superiores en términos térmicos, eléctricos y mecánicos, cumpliendo normas industriales estrictas para aplicaciones exigentes a altas temperaturas.
Dimensiones a medida
- Según el dibujo (tamaños y geometrías personalizadas)
Propiedades del material
- Material de base: Al₂O₃ (cerámica de alúmina) / Opcional: ZrO₂, Si₃N₄
- Densidad ≥3.90 g/cm³
- Resistencia a la flexión: ≥350 MPa
- Conductividad térmica: 24-30 W/(m·K)
- Resistencia dieléctrica: ≥15 kV/mm
Tolerancia y calidad de la superficie
- Concentricidad: ≤0.05 mm (DE frente a DI)
- Paralelismo ≤0.03 mm (superficies superiores e inferiores)
- Rugosidad de la superficie: Ra ≤0.4 μm
Pruebas de rendimiento clave
- Inspección dimensional: Según ISO 286-2
- Prueba de tasa de fuga ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Espectrometría de masas de helio)
- Resistencia al choque térmico: ΔT ≥300°C (5 ciclos, sin grietas)
Aplicaciones
- Procesamiento de semiconductores: Cámaras de vacío, componentes de grabado por plasma
- Entornos de alta temperatura: ≤1600°C (dependiente del material)
Embalaje y manipulación
- Embalaje para sala limpia Clase 100 o superior
- Antiestático Contenedores a prueba de ESD
Declaración de conformidad
Cumple con SEMI F47-0706 (Componentes cerámicos para equipos semiconductores)
Descargo de responsabilidad
La personalización está disponible a solicitud. Los parámetros críticos marcados con “□” requieren confirmación explícita.