Componentes cerámicos para semiconductores

Componentes cerámicos para semiconductores

Componentes cerámicos de precisión, mecanizados a partir de Al2O3 de alta pureza, Zirconia (ZrO2) y Silicon Nitride (Si3N4), están diseñados para aplicaciones exigentes en semiconductores, alta temperatura y vacío. Ofrecen un rendimiento térmico, eléctrico y mecánico superior; nuestras piezas personalizadas son ideales para entornos críticos como el grabado por plasma y cámaras de vacío.

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Basic Dimensions

• Según el dibujo (tamaños y geometrías personalizadas)

Propiedades del material

• Material de base: Al₂O₃ (cerámica de alúmina) / Opcional: ZrO₂, Si₃N₄
• Densidad ≥3.90 g/cm³
• Resistencia a la flexión: ≥350 MPa
• Conductividad térmica: 24-30 W/(m·K)
• Resistencia dieléctrica: ≥15 kV/mm

Tolerancia y calidad de la superficie

• Concentricidad: ≤0.05 mm (DE frente a DI)
• Paralelismo ≤0.03 mm (superficies superiores e inferiores)
• Rugosidad de la superficie: Ra ≤0.4 μm

Pruebas de rendimiento clave

• Inspección dimensional: Según ISO 286-2
• Prueba de tasa de fuga ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Espectrometría de masas de helio)
• Resistencia al choque térmico: ΔT ≥300°C (5 ciclos, sin grietas)

Aplicaciones

• Procesamiento de semiconductores: Cámaras de vacío, componentes de grabado por plasma
• Entornos de alta temperatura: ≤1600°C (dependiente del material)

Embalaje y manipulación

• Embalaje para sala limpia Clase 100 o superior
• Antiestático Contenedores a prueba de ESD

Consulta rápida

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