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Keramikgefäße für die Verarbeitung von Halbleitern
Präzise gefertigte, maßgeschneiderte keramische Gefäße, einschließlich Tiegeln und Zylindern, bestehen aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3), Zirkonoxid (ZrO2) oder Siliziumnitride (Si3N4). Entwickelt für anspruchsvolle Anwendungen in der Halbleiter-, Vakuum- und Plasmaätzprozessen bieten diese Hochleistungskomponenten hervorragende thermische, elektrische und mechanische Eigenschaften für kritische Hochtemperaturumgebungen.
Maßgeschneiderte Abmessungen
- Laut Zeichnung (individuelle Größen und Geometrien)
Materialeigenschaften
- Basismaterial: Al₂O₃ (Aluminiumoxid-Keramik) / Optional: ZrO₂, Si₃N₄
- Dichte ≥3.90 g/cm³
- Biegefestigkeit: ≥350 MPa
- Wärmeleitfähigkeit: 24-30 W/(m·K)
- Dielektrische Festigkeit: ≥15 kV/mm
Toleranz und Oberflächenqualität
- Konzentrizität: ≤0.05 mm (Außendurchmesser gegenüber Innendurchmesser)
- Parallelismus ≤0.03 mm (Ober- und Unterflächen)
- Oberflächenrauheit: Ra ≤0.4 μm
Kern-Leistungstests
- Dimensionsprüfung: Gemäß ISO 286-2
- Leckagerate-Test ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Helium-Massenspektrometrie)
- Thermischer Stoßfestigkeit: ΔT ≥300°C (5 Zyklen, keine Risse)
Anwendungen
- Halbleiterverarbeitung: Vakuumkammern, Plasmaätzkomponenten
- Umgebungen mit hohen Temperaturen: ≤1600°C (Materialabhängig)
Verpackung und Handhabung
- Reinraumverpackung Klasse 100 oder besser
- Antistatisch ESD-sichere Behälter
Konformitätserklärung
Entspricht SEMI F47-0706 (Keramikbauteile für Halbleiteranlagen)
Haftungsausschluss
Die Individualisierung ist auf Anfrage verfügbar. Kritische Parameter, die mit “□” gekennzeichnet sind, erfordern eine ausdrückliche Bestätigung.