Keramikplatten für das Ätzen von Halbleitern

Keramikplatten für das Ätzen von Halbleitern

Unsere präzisionsbearbeiteten keramischen Platten, erhältlich in Aluminiumoxid (Al2O3), Zirkonoxid (ZrO2) und Siliciumnitride (Si3N4), sind maßgeschneidert für anspruchsvolle Prozesse in der Halbleiterindustrie, im Vakuum und beim Plasmaätzen. Diese Hochleistungsbauteile bieten herausragende thermische, elektrische und mechanische Eigenschaften und gewährleisten Zuverlässigkeit in Hochtemperaturumgebungen.


Maßgeschneiderte Abmessungen

  • Laut Zeichnung (individuelle Größen und Geometrien)

Materialeigenschaften

  • Basismaterial: Al₂O₃ (Aluminiumoxid-Keramik) / Optional: ZrO₂, Si₃N₄
  • Dichte ≥3.90 g/cm³
  • Biegefestigkeit: ≥350 MPa
  • Wärmeleitfähigkeit: 24-30 W/(m·K)
  • Dielektrische Festigkeit: ≥15 kV/mm

Toleranz und Oberflächenqualität

  • Konzentrizität: ≤0.05 mm (Außendurchmesser gegenüber Innendurchmesser)
  • Parallelismus ≤0.03 mm (Ober- und Unterflächen)
  • Oberflächenrauheit: Ra ≤0.4 μm

Kern-Leistungstests

  • Dimensionsprüfung: Gemäß ISO 286-2
  • Leckagerate-Test ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Helium-Massenspektrometrie)
  • Thermischer Stoßfestigkeit: ΔT ≥300°C (5 Zyklen, keine Risse)

Anwendungen

  • Halbleiterverarbeitung: Vakuumkammern, Plasmaätzkomponenten
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen: ≤1600°C (Materialabhängig)

Verpackung und Handhabung

  • Reinraumverpackung Klasse 100 oder besser
  • Antistatisch ESD-sichere Behälter

Konformitätserklärung
Entspricht SEMI F47-0706 (Keramikbauteile für Halbleiteranlagen)

Haftungsausschluss
Die Individualisierung ist auf Anfrage verfügbar. Kritische Parameter, die mit “□” gekennzeichnet sind, erfordern eine ausdrückliche Bestätigung.

Schnelle Anfrage

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