Keramische Stäbe für Anwendungen in der Halbleitertechnik

Keramische Stäbe für Anwendungen in der Halbleitertechnik

Unsere präzisionsgefertigten, kundenspezifischen Keramikstäbe und -leisten, erhältlich in hochreinem Alumina (Al2O3), Zirconia (ZrO2) oder Silicium-Nitrid (Si3N4), sind für anspruchsvolle Halbleiter-, Vakuum- und Plasmaätzenprozessen ausgelegt. Diese Hochleistungsbauteile bieten herausragende thermische, elektrische und mechanische Eigenschaften und gewährleisten Zuverlässigkeit in kritischen Hochtemperaturumgebungen.


Maßgeschneiderte Abmessungen

  • Laut Zeichnung (individuelle Größen und Geometrien)

Materialeigenschaften

  • Basismaterial: Al₂O₃ (Aluminiumoxid-Keramik) / Optional: ZrO₂, Si₃N₄
  • Dichte ≥3.90 g/cm³
  • Biegefestigkeit: ≥350 MPa
  • Wärmeleitfähigkeit: 24-30 W/(m·K)
  • Dielektrische Festigkeit: ≥15 kV/mm

Toleranz und Oberflächenqualität

  • Konzentrizität: ≤0.05 mm (Außendurchmesser gegenüber Innendurchmesser)
  • Parallelismus ≤0.03 mm (Ober- und Unterflächen)
  • Oberflächenrauheit: Ra ≤0.4 μm

Kern-Leistungstests

  • Dimensionsprüfung: Gemäß ISO 286-2
  • Leckagerate-Test ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Helium-Massenspektrometrie)
  • Thermischer Stoßfestigkeit: ΔT ≥300°C (5 Zyklen, keine Risse)

Anwendungen

  • Halbleiterverarbeitung: Vakuumkammern, Plasmaätzkomponenten
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen: ≤1600°C (Materialabhängig)

Verpackung und Handhabung

  • Reinraumverpackung Klasse 100 oder besser
  • Antistatisch ESD-sichere Behälter

Konformitätserklärung
Entspricht SEMI F47-0706 (Keramikbauteile für Halbleiteranlagen)

Haftungsausschluss
Die Individualisierung ist auf Anfrage verfügbar. Kritische Parameter, die mit “□” gekennzeichnet sind, erfordern eine ausdrückliche Bestätigung.

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