Keramische Abdeckplatten für das Plasmaätzen in Halbleitern

Keramische Abdeckplatten für das Plasmaätzen in Halbleitern

Präzisionskeramische Abdeckplatten, hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3), Zirkonoxid (ZrO2) oder Silizium-Nitrid (Si3N4), werden für kritische Halbleiterprozesse, Vakuum und Plasmaätzprozesse entwickelt. Diese maßgeschneiderten Platten bieten herausragende thermische, elektrische und mechanische Eigenschaften und erfüllen strenge Industriestandards für anspruchsvolle Hochtemperaturanwendungen.

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Maßgeschneiderte Abmessungen

• Laut Zeichnung (individuelle Größen und Geometrien)

Materialeigenschaften

• Basismaterial: Al₂O₃ (Aluminiumoxid-Keramik) / Optional: ZrO₂, Si₃N₄
• Dichte ≥3.90 g/cm³
• Biegefestigkeit: ≥350 MPa
• Wärmeleitfähigkeit: 24-30 W/(m·K)
• Dielektrische Festigkeit: ≥15 kV/mm

Toleranz und Oberflächenqualität

• Konzentrizität: ≤0.05 mm (Außendurchmesser gegenüber Innendurchmesser)
• Parallelismus ≤0.03 mm (Ober- und Unterflächen)
• Oberflächenrauheit: Ra ≤0.4 μm

Kern-Leistungstests

• Dimensionsprüfung: Gemäß ISO 286-2
• Leckagerate-Test ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Helium-Massenspektrometrie)
• Thermischer Stoßfestigkeit: ΔT ≥300°C (5 Zyklen, keine Risse)

Anwendungen

• Halbleiterverarbeitung: Vakuumkammern, Plasmaätzkomponenten
• Umgebungen mit hohen Temperaturen: ≤1600°C (Materialabhängig)

Verpackung und Handhabung

• Reinraumverpackung Klasse 100 oder besser
• Antistatisch ESD-sichere Behälter

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