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Keramische Komponenten für Halbleiter
Präzisions-Keramikkomponenten, bearbeitet aus hochreinem Alumina (Al2O3), Zirconia (ZrO2) und Silicon Nitride (Si3N4), werden für anspruchsvolle Halbleiter-, Hochtemperatur- und Vakuumanwendungen entwickelt. Sie bieten überlegene thermische, elektrische und mechanische Eigenschaften; unsere maßgefertigten Bauteile eignen sich ideal für kritische Umgebungen wie Plasmaätzen und Vakuumkammern.
Basic Dimensions
- Laut Zeichnung (individuelle Größen und Geometrien)
Materialeigenschaften
- Basismaterial: Al₂O₃ (Aluminiumoxid-Keramik) / Optional: ZrO₂, Si₃N₄
- Dichte ≥3.90 g/cm³
- Biegefestigkeit: ≥350 MPa
- Wärmeleitfähigkeit: 24-30 W/(m·K)
- Dielektrische Festigkeit: ≥15 kV/mm
Toleranz und Oberflächenqualität
- Konzentrizität: ≤0.05 mm (Außendurchmesser gegenüber Innendurchmesser)
- Parallelismus ≤0.03 mm (Ober- und Unterflächen)
- Oberflächenrauheit: Ra ≤0.4 μm
Kern-Leistungstests
- Dimensionsprüfung: Gemäß ISO 286-2
- Leckagerate-Test ≤1×10⁻⁹ mbar·L/s (Helium-Massenspektrometrie)
- Thermischer Stoßfestigkeit: ΔT ≥300°C (5 Zyklen, keine Risse)
Anwendungen
- Halbleiterverarbeitung: Vakuumkammern, Plasmaätzkomponenten
- Umgebungen mit hohen Temperaturen: ≤1600°C (Materialabhängig)
Verpackung und Handhabung
- Reinraumverpackung Klasse 100 oder besser
- Antistatisch ESD-sichere Behälter
Konformitätserklärung
Entspricht SEMI F47-0706 (Keramikbauteile für Halbleiteranlagen)
Haftungsausschluss
Die Individualisierung ist auf Anfrage verfügbar. Kritische Parameter, die mit “□” gekennzeichnet sind, erfordern eine ausdrückliche Bestätigung.